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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTB85N03
NTB85N03 Image
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NTB85N03 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTB85N03
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTB85N03
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
NTB, NTP85N03.pdf
vorrätig: 5470

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Anzahl

Spezifikation

NTB85N03 Tech -Spezifikationen
onsemi - NTB85N03 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTB85N03

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 40A, 10V  
Verlustleistung (max) 80W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 24 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 28 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 85A (Tc)  
Grundproduktnummer NTB85  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTB85N03.

Produkteigenschaften NTB85N03 NTB75N06LT4G NTB90N02 NTB85N03T4
Artikelnummer NTB85N03 NTB75N06LT4G NTB90N02 NTB85N03T4
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 40A, 10V 11mOhm @ 37.5A, 5V 5.8mOhm @ 90A, 10V -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 5V 4.5V, 10V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 85A (Tc) 75A (Ta) 90A (Ta) -
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 4.5 V 92 nC @ 5 V 29 nC @ 4.5 V -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D²PAK D²PAK -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Grundproduktnummer NTB85 NTB75 NTB90 NTB85
Drain-Source-Spannung (Vdss) 28 V 60 V 24 V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 24 V 4370 pF @ 25 V 2120 pF @ 20 V -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Verlustleistung (max) 80W (Tc) 2.4W (Ta), 214W (Tj) 85W (Tc) -
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA -
Serie - - - *
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Cut Tape (CT)
FET-Merkmal - - - -

NTB85N03 Datenblatt PDF

Laden Sie NTB85N03 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTB85N03 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 27/Jun/2007.pdf Multiple Devices 03/Apr/2007.pdf
Datenblätter
NTB, NTP85N03.pdf

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Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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