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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTD18N06LT4G
NTD18N06LT4G Image
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NTD18N06LT4G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTD18N06LT4G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTD18N06LT4G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
NTD18N06L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 80040

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Anzahl

Spezifikation

NTD18N06LT4G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTD18N06LT4G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTD18N06LT4G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 9A, 5V  
Verlustleistung (max) 2.1W (Ta), 55W (Tj)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 675 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Ta)  
Grundproduktnummer NTD18  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTD18N06LT4G.

Produkteigenschaften NTD18N06LT4G NTD20N03L27 NTD18N06T4G NTD20N03L27-1G
Artikelnummer NTD18N06LT4G NTD20N03L27 NTD18N06T4G NTD20N03L27-1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Ta) 20A (Ta) 18A (Ta) 20A (Ta)
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK DPAK I-PAK
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V 4V, 5V 10V 4V, 5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 30 V 60 V 30 V
Grundproduktnummer NTD18 NTD20 NTD18 NTD20
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 675 pF @ 25 V 1260 pF @ 25 V 710 pF @ 25 V 1260 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±15V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA
Serie - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Verlustleistung (max) 2.1W (Ta), 55W (Tj) 1.75W (Ta), 74W (Tc) 2.1W (Ta), 55W (Tj) 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 9A, 5V 27mOhm @ 10A, 5V 60mOhm @ 9A, 10V 27mOhm @ 10A, 5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V 18.9 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 18.9 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

NTD18N06LT4G Datenblatt PDF

Laden Sie NTD18N06LT4G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTD18N06LT4G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 18/Dec/2022.pdf
Datenblätter
NTD18N06L.pdf

Lieferung

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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