Spezifikation
NTD250N65S3H Tech -Spezifikationen
onsemi - NTD250N65S3H Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTD250N65S3H
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
onsemi |
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| VGS (th) (Max) @ Id |
4V @ 1.1mA |
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| Vgs (Max) |
±30V |
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| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
D-PAK (TO-252) |
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| Serie |
SuperFET® III |
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| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
250mOhm @ 6.5A, 10V |
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| Verlustleistung (max) |
106W (Tc) |
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| Verpackung / Gehäuse |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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| Paket |
Tape & Reel (TR) |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Befestigungsart |
Surface Mount |
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| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
1261 pF @ 400 V |
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| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
24 nC @ 10 V |
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| Typ FET |
N-Channel |
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| FET-Merkmal |
- |
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| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
|
| Drain-Source-Spannung (Vdss) |
650 V |
|
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C |
13A (Tc) |
|
Lieferung
Lieferzeit
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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)
Versandart
- Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.
NTD24N06G MOSAMI Semiconductor/onsemi
NTD24N06LT4GFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2