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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTD4806N-1G
NTD4806N-1G Image
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NTD4806N-1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTD4806N-1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTD4806N-1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
NTD4806N.pdf
vorrätig: 3890

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Spezifikation

NTD4806N-1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTD4806N-1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTD4806N-1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.4W (Ta), 68W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2142 pF @ 12 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.3A (Ta), 79A (Tc)  
Grundproduktnummer NTD48  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTD4806N-1G.

Produkteigenschaften NTD4806N-1G NTD4804N-35G NTD4806N-35G NTD4805NT4G
Artikelnummer NTD4806N-1G NTD4804N-35G NTD4806N-35G NTD4805NT4G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2142 pF @ 12 V 4490 pF @ 12 V 2142 pF @ 12 V 2865 pF @ 12 V
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 1.4W (Ta), 68W (Tc) 1.43W (Ta), 107W (Tc) 1.4W (Ta), 68W (Tc) 1.41W (Ta), 79W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Serie - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Grundproduktnummer NTD48 NTD48 NTD48 NTD4805
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 30A, 10V 4mOhm @ 30A, 10V 6mOhm @ 30A, 10V 5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 4.5 V 40 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V 48 nC @ 11.5 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V 4.5V, 11.5V 4.5V, 11.5V 4.5V, 11.5V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.3A (Ta), 79A (Tc) 14.5A (Ta), 124A (Tc) 11.3A (Ta), 79A (Tc) 12.7A (Ta), 95A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse I-PAK I-Pak I-Pak DPAK
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA

NTD4806N-1G Datenblatt PDF

Laden Sie NTD4806N-1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTD4806N-1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 21/Jan/2010.pdf
Datenblätter
NTD4806N.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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