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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTD4809N-1G
NTD4809N-1G Image
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NTD4809N-1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTD4809N-1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTD4809N-1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
N(T,V)D4809N.pdf
vorrätig: 3710

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Anzahl

Spezifikation

NTD4809N-1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTD4809N-1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTD4809N-1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.4W (Ta), 52W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1456 pF @ 12 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.6A (Ta), 58A (Tc)  
Grundproduktnummer NTD48  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTD4809N-1G.

Produkteigenschaften NTD4809N-1G NTD4808N-1G NTD4809N-35G NTD4806NAT4G
Artikelnummer NTD4809N-1G NTD4808N-1G NTD4809N-35G NTD4806NAT4G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Grundproduktnummer NTD48 NTD4808 NTD48 NTD48
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V 13 nC @ 4.5 V 13 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 30A, 10V 8mOhm @ 30A, 10V 9mOhm @ 30A, 10V 6mOhm @ 30A, 10V
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 1.4W (Ta), 52W (Tc) 1.4W (Ta), 54.6W (Tc) 1.4W (Ta), 52W (Tc) -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V 4.5V, 11.5V 4.5V, 11.5V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1456 pF @ 12 V 1538 pF @ 12 V 1456 pF @ 12 V 2142 pF @ 12 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Serie - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Supplier Device-Gehäuse I-PAK I-PAK I-Pak DPAK
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.6A (Ta), 58A (Tc) 10A (Ta), 63A (Tc) 9.6A (Ta), 58A (Tc) 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -

NTD4809N-1G Datenblatt PDF

Laden Sie NTD4809N-1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTD4809N-1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 07/Jul/2010.pdf
Datenblätter
N(T,V)D4809N.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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