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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTD4810NT4G
NTD4810NT4G Image
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NTD4810NT4G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTD4810NT4G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTD4810NT4G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
NTD4810N.pdf
vorrätig: 4020

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Anzahl

Spezifikation

NTD4810NT4G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTD4810NT4G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTD4810NT4G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.4W (Ta), 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 12 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Ta), 54A (Tc)  
Grundproduktnummer NTD48  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTD4810NT4G.

Produkteigenschaften NTD4810NT4G NTD4810N-1G NTD4815N-1G NTD4809NT4G
Artikelnummer NTD4810NT4G NTD4810N-1G NTD4815N-1G NTD4809NT4G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Verlustleistung (max) 1.4W (Ta), 50W (Tc) 1.4W (Ta), 50W (Tc) 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Bulk
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 30A, 10V 10mOhm @ 30A, 10V 15mOhm @ 30A, 10V 9mOhm @ 30A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V 4.5V, 11.5V 4.5V, 11.5V 4.5V, 11.5V
Grundproduktnummer NTD48 NTD48 NTD48 -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Ta), 54A (Tc) 9A (Ta), 54A (Tc) 6.9A (Ta), 35A (Tc) 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V 6.6 nC @ 4.5 V 25 nC @ 11.5 V
Supplier Device-Gehäuse DPAK I-PAK I-PAK DPAK
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 12 V 1350 pF @ 12 V 770 pF @ 12 V 1456 pF @ 12 V
Serie - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

NTD4810NT4G Datenblatt PDF

Laden Sie NTD4810NT4G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTD4810NT4G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NTD4810N.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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