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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTD4858NT4G
NTD4858NT4G Image
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NTD4858NT4G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTD4858NT4G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTD4858NT4G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
NTD4858N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 117350

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Anzahl

Spezifikation

NTD4858NT4G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTD4858NT4G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTD4858NT4G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.2mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1563 pF @ 12 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.2 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.2A (Ta), 73A (Tc)  
Grundproduktnummer NTD4858  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTD4858NT4G.

Produkteigenschaften NTD4858NT4G NTD4860NAT4G NTD4857NT4G NTD4860NA-1G
Artikelnummer NTD4858NT4G NTD4860NAT4G NTD4857NT4G NTD4860NA-1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 25 V 25 V 25 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1563 pF @ 12 V 1308 pF @ 12 V 1960 pF @ 12 V 1308 pF @ 12 V
Grundproduktnummer NTD4858 NTD48 NTD48 NTD48
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Vgs (Max) ±20V - ±20V -
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Serie - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.2mOhm @ 30A, 10V 7.5mOhm @ 30A, 10V 5.7mOhm @ 30A, 10V 7.5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.2 nC @ 4.5 V 16.5 nC @ 4.5 V 24 nC @ 4.5 V 21.8 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK DPAK I-PAK
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Verlustleistung (max) 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) 1.28W (Ta), 50W (Tc) 1.31W (Ta), 56.6W (Tc) 1.28W (Ta), 50W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.2A (Ta), 73A (Tc) 10.4A (Ta), 65A (Tc) 12A (Ta), 78A (Tc) 10.4A (Ta), 65A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

NTD4858NT4G Datenblatt PDF

Laden Sie NTD4858NT4G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTD4858NT4G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 01/Oct/2021.pdf
Datenblätter
NTD4858N.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Site Add 8/Mar/2018.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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