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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTD6414ANT4G
NTD6414ANT4G Image
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NTD6414ANT4G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTD6414ANT4G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTD6414ANT4G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
NTD6414AN.pdf
RoHS Status
vorrätig: 35850

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Anzahl

Spezifikation

NTD6414ANT4G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTD6414ANT4G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTD6414ANT4G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 32A, 10V  
Verlustleistung (max) 100W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1450 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 32A (Tc)  
Grundproduktnummer NTD6414  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTD6414ANT4G.

Produkteigenschaften NTD6414ANT4G NTD6415ANLT4G NTD60N02RT4G NTD6414AN-1G
Artikelnummer NTD6414ANT4G NTD6415ANLT4G NTD60N02RT4G NTD6414AN-1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
FET-Merkmal - - - -
Serie - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 32A, 10V 52mOhm @ 10A, 10V 10.5mOhm @ 20A, 10V 37mOhm @ 32A, 10V
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK DPAK I-PAK
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Grundproduktnummer NTD6414 NTD6415 NTD60 NTD64
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 25 V 100 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1450 pF @ 25 V 1024 pF @ 25 V 1330 pF @ 20 V 1450 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 100W (Tc) 83W (Tc) 1.25W (Ta), 58W (Tc) 100W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 32A (Tc) 23A (Tc) 8.5A (Ta), 32A (Tc) 32A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 14 nC @ 4.5 V 40 nC @ 10 V

NTD6414ANT4G Datenblatt PDF

Laden Sie NTD6414ANT4G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTD6414ANT4G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site 17/Feb/2023.pdf
Datenblätter
NTD6414AN.pdf

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Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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