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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTD6416ANLT4G
NTD6416ANLT4G Image
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NTD6416ANLT4G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTD6416ANLT4G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTD6416ANLT4G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
NTD6416ANL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 61960

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Anzahl

Spezifikation

NTD6416ANLT4G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTD6416ANLT4G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTD6416ANLT4G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 74mOhm @ 19A, 10V  
Verlustleistung (max) 71W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Tc)  
Grundproduktnummer NTD6416  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTD6416ANLT4G.

Produkteigenschaften NTD6416ANLT4G NTD6416AN-1G NTD6416ANT4G NTD6600NT4G
Artikelnummer NTD6416ANLT4G NTD6416AN-1G NTD6416ANT4G NTD6600NT4G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 74mOhm @ 19A, 10V 81mOhm @ 17A, 10V 81mOhm @ 17A, 10V 146mOhm @ 6A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 20 nC @ 5 V
Verlustleistung (max) 71W (Tc) 71W (Tc) 71W (Tc) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer NTD6416 NTD64 NTD6416 NTD66
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Tc) 17A (Tc) 17A (Tc) 12A (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 25 V 620 pF @ 25 V 620 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device-Gehäuse DPAK I-PAK DPAK DPAK

NTD6416ANLT4G Datenblatt PDF

Laden Sie NTD6416ANLT4G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTD6416ANLT4G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NTD6416ANL.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site 17/Feb/2023.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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