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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTD70N03RG
NTD70N03RG Image
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NTD70N03RG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTD70N03RG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTD70N03RG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
NTD70N03R.pdf
vorrätig: 4620

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Anzahl

Spezifikation

NTD70N03RG Tech -Spezifikationen
onsemi - NTD70N03RG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTD70N03RG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.36W (Ta), 62.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1333 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.2 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta), 32A (Tc)  
Grundproduktnummer NTD70  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTD70N03RG.

Produkteigenschaften NTD70N03RG NTD70N03R NTD70N03R-1G NTD78N03G
Artikelnummer NTD70N03RG NTD70N03R NTD70N03R-1G NTD78N03G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Serie - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta), 32A (Tc) 10A (Ta), 32A (Tc) 10A (Ta), 32A (Tc) 11.4A (Ta), 78A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 25 V 25 V 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Verlustleistung (max) 1.36W (Ta), 62.5W (Tc) 1.36W (Ta), 62.5W (Tc) 1.36W (Ta), 62.5W (Tc) 1.4W (Ta), 64W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.2 nC @ 5 V 13.2 nC @ 5 V 13.2 nC @ 5 V 35 nC @ 4.5 V
Grundproduktnummer NTD70 NTD70 NTD70 NTD78
Paket Tube Tube Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK I-PAK DPAK
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1333 pF @ 20 V 1333 pF @ 20 V 1333 pF @ 20 V 2250 pF @ 12 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 20A, 10V 8mOhm @ 20A, 10V 8mOhm @ 20A, 10V 6mOhm @ 78A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NTD70N03RG Datenblatt PDF

Laden Sie NTD70N03RG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTD70N03RG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NTD70N03R.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 09/Jan/2008.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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