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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTGS3136PT1G
NTGS3136PT1G Image
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NTGS3136PT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTGS3136PT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTGS3136PT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
NTGS3136P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 105190

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Anzahl

Spezifikation

NTGS3136PT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTGS3136PT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTGS3136PT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-TSOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 5.1A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 700mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1901 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.7A (Ta)  
Grundproduktnummer NTGS3136  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTGS3136PT1G.

Produkteigenschaften NTGS3136PT1G NTGD3147FT1G NTGS3433T1G NTGS3433T1
Artikelnummer NTGS3136PT1G NTGD3147FT1G NTGS3433T1G NTGS3433T1
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Verlustleistung (max) 700mW (Ta) 1W (Ta) 500mW (Ta) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 4.5 V 5.5 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V -
Vgs (Max) ±8V ±12V ±8V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.7A (Ta) 2.2A (Ta) 2.35A (Ta) -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 5.1A, 4.5V 145mOhm @ 2.2A, 4.5V 75mOhm @ 3.3A, 4.5V -
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1901 pF @ 10 V 400 pF @ 10 V 550 pF @ 5 V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 12 V -
Grundproduktnummer NTGS3136 NTGD31 NTGS3433 NTGS34
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -25°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Supplier Device-Gehäuse 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
FET-Merkmal - Schottky Diode (Isolated) - -

NTGS3136PT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NTGS3136PT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTGS3136PT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Covering Tape/Material Chg 20/May/2016.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices Update 28/Jun/2011.pdf
Datenblätter
NTGS3136P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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