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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTLGF3402PT2G
NTLGF3402PT2G Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NTLGF3402PT2G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTLGF3402PT2G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTLGF3402PT2G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-VDFN Exposed Pad
Datenblatt
NTLGF3402P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4140

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Anzahl

Spezifikation

NTLGF3402PT2G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTLGF3402PT2G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTLGF3402PT2G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-DFN (3x3)  
Serie FETKY™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 2.7A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.14W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-VDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A (Ta)  
Grundproduktnummer NTLGF3402  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTLGF3402PT2G.

Produkteigenschaften NTLGF3402PT2G NTLJF3117PT1G NTLJD3119CTAG NTLG26115A/A
Artikelnummer NTLGF3402PT2G NTLJF3117PT1G NTLJD3119CTAG NTLG26115A/A
Hersteller onsemi onsemi onsemi Nuvoton Technology Corporation
Serie FETKY™ µCool™ µCool™ -
Verpackung / Gehäuse 6-VDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V - -
Typ FET P-Channel P-Channel - -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA -
Supplier Device-Gehäuse 6-DFN (3x3) 6-WDFN (2x2) 6-WDFN (2x2) -
Verlustleistung (max) 1.14W (Ta) 710mW (Ta) - -
Vgs (Max) ±12V ±8V - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 6.2 nC @ 4.5 V 3.7nC @ 4.5V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 2.7A, 4.5V 100mOhm @ 2A, 4.5V 65mOhm @ 3.8A, 4.5V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A (Ta) 2.3A (Ta) 2.6A, 2.3A -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 10 V 531 pF @ 10 V 271pF @ 10V -
Grundproduktnummer NTLGF3402 NTLJF3117 NTLJD31 -
FET-Merkmal - Schottky Diode (Isolated) Logic Level Gate -

NTLGF3402PT2G Datenblatt PDF

Laden Sie NTLGF3402PT2G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTLGF3402PT2G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Covering Tape/Material Chg 20/May/2016.pdf
Datenblätter
NTLGF3402P.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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