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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNTMD2C02R2
NTMD2C02R2 Image
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NTMD2C02R2 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTMD2C02R2
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTMD2C02R2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
NTMD2C02R2.pdf
vorrätig: 5400

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Anzahl

Spezifikation

NTMD2C02R2 Tech -Spezifikationen
onsemi - NTMD2C02R2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTMD2C02R2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 4A, 4.5V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.2A, 3.4A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer NTMD2C  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTMD2C02R2.

Produkteigenschaften NTMD2C02R2 NTMD3P03R2G NTMC1300R2 NTMD2C02R2G
Artikelnummer NTMD2C02R2 NTMD3P03R2G NTMC1300R2 NTMD2C02R2G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer NTMD2C NTMD3 NTMC13 NTMD2C
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.2A, 3.4A 2.34A 2.2A, 1.8A 5.2A, 3.4A
Konfiguration N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel N and P-Channel
Serie - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V 25nC @ 10V 5nC @ 4.5V 20nC @ 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 4A, 4.5V 85mOhm @ 3.05A, 10V 90mOhm @ 3A, 10V 43mOhm @ 4A, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 30V 30V 20V
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Leistung - max 2W 730mW 2W 2W
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 10V 750pF @ 24V 300pF @ 20V 1100pF @ 10V

NTMD2C02R2 Datenblatt PDF

Laden Sie NTMD2C02R2 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTMD2C02R2 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 03/Jan/2008.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008.pdf
Datenblätter
NTMD2C02R2.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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