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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNTMFD4901NFT3G
onsemi
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NTMFD4901NFT3G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTMFD4901NFT3G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTMFD4901NFT3G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
NTMFD4901NF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5250

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Anzahl

Spezifikation

NTMFD4901NFT3G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTMFD4901NFT3G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTMFD4901NFT3G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 10A, 10V  
Leistung - max 1.1W, 1.2W  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1150pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.7nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10.3A, 17.9A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual), Schottky  
Grundproduktnummer NTMFD4901  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTMFD4901NFT3G.

Produkteigenschaften NTMFD4901NFT3G NTMFD4C20NT1G NTMFD4902NFT3G NTMD6P02R2G
Artikelnummer NTMFD4901NFT3G NTMFD4C20NT1G NTMFD4902NFT3G NTMD6P02R2G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1150pF @ 15V 970pF @ 15V 1150pF @ 15V 1700pF @ 16V
FET-Merkmal Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10.3A, 17.9A 9.1A, 13.7A 10.3A, 13.3A 4.8A
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) 8-SOIC
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 20V
Leistung - max 1.1W, 1.2W 1.09W, 1.15W 1.1W, 1.16W 750mW
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2.1V @ 250µA 2.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Grundproduktnummer NTMFD4901 NTMFD4 NTMFD4902 NTMD6
Serie - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.7nC @ 4.5V 9.3nC @ 4.5V 9.7nC @ 4.5V 35nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 10A, 10V 7.3mOhm @ 10A, 10V 6.5mOhm @ 10A, 10V 33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual), Schottky 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual), Schottky 2 P-Channel (Dual)

NTMFD4901NFT3G Datenblatt PDF

Laden Sie NTMFD4901NFT3G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTMFD4901NFT3G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 01/Oct/2021.pdf
Datenblätter
NTMFD4901NF.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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