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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNTMFD4C86NT3G
onsemi
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NTMFD4C86NT3G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTMFD4C86NT3G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTMFD4C86NT3G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 11.3/18.1A 8DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
NTMFD4C86N.pdf
vorrätig: 5200

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Anzahl

Spezifikation

NTMFD4C86NT3G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTMFD4C86NT3G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTMFD4C86NT3G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (5x6)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4mOhm @ 30A, 10V  
Leistung - max 1.1W  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1153pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.2nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.3A, 18.1A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical  
Grundproduktnummer NTMFD4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTMFD4C86NT3G.

Produkteigenschaften NTMFD4C86NT3G NTMFD5C674NLT1G NTMFD4C20NT1G NTMFD4C86NT1G
Artikelnummer NTMFD4C86NT3G NTMFD5C674NLT1G NTMFD4C20NT1G NTMFD4C86NT1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Leistung - max 1.1W 3W (Ta), 37W (Tc) 1.09W, 1.15W 1.1W
Grundproduktnummer NTMFD4 NTMFD5 NTMFD4 NTMFD4
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2.2V @ 25µA 2.1V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (5x6) 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) 8-DFN (5x6)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1153pF @ 15V 640pF @ 25V 970pF @ 15V 1153pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.2nC @ 10V 10nC @ 10V 9.3nC @ 4.5V 22.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4mOhm @ 30A, 10V 14.4mOhm @ 10A, 10V 7.3mOhm @ 10A, 10V 5.4mOhm @ 30A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 60V 30V 30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.3A, 18.1A 11A (Ta), 42A (Tc) 9.1A, 13.7A 11.3A, 18.1A

NTMFD4C86NT3G Datenblatt PDF

Laden Sie NTMFD4C86NT3G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTMFD4C86NT3G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
3Q Mult Dev EOL 9/Nov/2017.pdf
Datenblätter
NTMFD4C86N.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
NTMF/NTTF 27/Jan/2017.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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