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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTMFS4C022NT1G
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NTMFS4C022NT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTMFS4C022NT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTMFS4C022NT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN, 5 Leads
Datenblatt
NTMFS4C022N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 42230

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Anzahl

Spezifikation

NTMFS4C022NT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTMFS4C022NT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTMFS4C022NT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 64W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3071 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45.2 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Ta), 136A (Tc)  
Grundproduktnummer NTMFS4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTMFS4C022NT1G.

Produkteigenschaften NTMFS4C022NT1G NTMFS4983NBFT1G NTMFS4C01NT3G NTMFS4983NFT3G
Artikelnummer NTMFS4C022NT1G NTMFS4983NBFT1G NTMFS4C01NT3G NTMFS4983NFT3G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V - 30 V 30 V
Typ FET N-Channel - N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA - 2.2V @ 250µA 2.3V @ 1mA
Grundproduktnummer NTMFS4 - NTMFS4 NTMFS4983
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3071 pF @ 15 V - 10144 pF @ 15 V 3250 pF @ 15 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads - 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Paket Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45.2 nC @ 10 V - 139 nC @ 10 V 47.9 nC @ 10 V
Serie - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 30A, 10V - 0.9mOhm @ 30A, 10V 2.1mOhm @ 30A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 64W (Tc) - 3.2W (Ta), 134W (Tc) 1.7W (Ta), 38W (Tc)
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Ta), 136A (Tc) - 47A (Ta), 303A (Tc) 22A (Ta), 106A (Tc)

NTMFS4C022NT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NTMFS4C022NT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTMFS4C022NT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab Change 17/Oct/2022.pdf
PCN -Verpackung
MPN label update 11/Oct/2021.pdf
Datenblätter
NTMFS4C022N.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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