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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTMFS4H01NT3G
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NTMFS4H01NT3G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTMFS4H01NT3G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTMFS4H01NT3G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 54A/334A 5DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN, 5 Leads
Datenblatt
NTMFS4H01N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5310

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Anzahl

Spezifikation

NTMFS4H01NT3G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTMFS4H01NT3G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTMFS4H01NT3G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.7mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5693 pF @ 12 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 54A (Ta), 334A (Tc)  
Grundproduktnummer NTMFS4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTMFS4H01NT3G.

Produkteigenschaften NTMFS4H01NT3G NTMFS4C55NT1G NTMFS4H013NFT3G NTMFS4H013NFT1G
Artikelnummer NTMFS4H01NT3G NTMFS4C55NT1G NTMFS4H013NFT3G NTMFS4H013NFT1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.7mOhm @ 30A, 10V 3.4mOhm @ 30A, 10V 0.9mOhm @ 30A, 10V 0.9mOhm @ 30A, 10V
Serie - - - -
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 125W (Tc) 770mW (Ta), 33W (Tc) 2.7W (Ta), 104W (Tc) 2.7W (Ta), 104W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.1V @ 250µA 2.1V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 54A (Ta), 334A (Tc) 11.9A (Ta), 78A (Tc) 43A (Ta), 269A (Tc) 43A (Ta), 269A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 30 V 25 V 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer NTMFS4 NTMFS4 NTMFS4 NTMFS4
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5693 pF @ 12 V 1972 pF @ 15 V 3923 pF @ 12 V 3923 pF @ 12 V

NTMFS4H01NT3G Datenblatt PDF

Laden Sie NTMFS4H01NT3G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTMFS4H01NT3G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 08/Jul/2021.pdf
Datenblätter
NTMFS4H01N.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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