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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTMS10P02R2G
NTMS10P02R2G Image
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NTMS10P02R2G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTMS10P02R2G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTMS10P02R2G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
NTMS10P02R2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 45090

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Anzahl

Spezifikation

NTMS10P02R2G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTMS10P02R2G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTMS10P02R2G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 10A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3640 pF @ 16 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.8A (Ta)  
Grundproduktnummer NTMS10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTMS10P02R2G.

Produkteigenschaften NTMS10P02R2G NTMFS6H848NT1G NTMS4177PR2G NTMS4107NR2G
Artikelnummer NTMS10P02R2G NTMFS6H848NT1G NTMS4177PR2G NTMS4107NR2G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 8-SOIC 8-SOIC
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 10A, 4.5V 9.4mOhm @ 10A, 10V 12mOhm @ 11.4A, 10V 4.5mOhm @ 15A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3640 pF @ 16 V 1180 pF @ 40 V 3100 pF @ 24 V 6000 pF @ 15 V
FET-Merkmal - - - -
Serie - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 80 V 30 V 30 V
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta) 3.7W (Ta), 73W (Tc) 840mW (Ta) 930mW (Ta)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.8A (Ta) 13A (Ta), 57A (Tc) 6.6A (Ta) 11A (Ta)
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 4V @ 70µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 4.5 V 16 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 45 nC @ 4.5 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer NTMS10 NTMFS6 NTMS41 NTMS41

NTMS10P02R2G Datenblatt PDF

Laden Sie NTMS10P02R2G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTMS10P02R2G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008.pdf
Datenblätter
NTMS10P02R2.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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