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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTNS3193NZT5G
onsemi
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NTNS3193NZT5G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTNS3193NZT5G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTNS3193NZT5G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
3-XFLGA
Datenblatt
NTNS3193NZ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 162920

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Anzahl

Spezifikation

NTNS3193NZT5G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTNS3193NZT5G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTNS3193NZT5G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 3-XLLGA (0.62x0.62)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 100mA, 4.5V  
Verlustleistung (max) 120mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 3-XFLGA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15.8 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 224mA (Ta)  
Grundproduktnummer NTNS3193  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTNS3193NZT5G.

Produkteigenschaften NTNS3193NZT5G NTNS3A65PZT5GHW NTNUS3171PZT5G DMP2305UQ-7
Artikelnummer NTNS3193NZT5G NTNS3A65PZT5GHW NTNUS3171PZT5G DMP2305UQ-7
Hersteller onsemi onsemi onsemi Diodes Incorporated
Supplier Device-Gehäuse 3-XLLGA (0.62x0.62) SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) SOT-1123 SOT-23-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 224mA (Ta) 281mA (Ta) 150mA (Ta) 4.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.2V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±8V
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 100mA, 4.5V 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7 nC @ 4.5 V 1.1 nC @ 4.5 V - 7.6 nC @ 4.5 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 120mW (Ta) 155mW (Ta) 125mW (Ta) 1.4W
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15.8 pF @ 15 V 44 pF @ 10 V 13 pF @ 15 V 727 pF @ 20 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 900mV @ 250µA
Verpackung / Gehäuse 3-XFLGA 3-XFDFN SOT-1123 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer NTNS3193 - NTNUS3171 DMP2305

NTNS3193NZT5G Datenblatt PDF

Laden Sie NTNS3193NZT5G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTNS3193NZT5G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NTNS3193NZ.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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