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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTP6412ANG
NTP6412ANG Image
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NTP6412ANG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTP6412ANG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTP6412ANG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 58A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
NTB,NTP6412AN.pdf
RoHS Status
vorrätig: 44600

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Anzahl

Spezifikation

NTP6412ANG Tech -Spezifikationen
onsemi - NTP6412ANG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTP6412ANG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.2mOhm @ 58A, 10V  
Verlustleistung (max) 167W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 58A (Tc)  
Grundproduktnummer NTP6412  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTP6412ANG.

Produkteigenschaften NTP6412ANG NTP6448ANG NTP60N06 NTP65N02RG
Artikelnummer NTP6412ANG NTP6448ANG NTP60N06 NTP65N02RG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 3220 pF @ 25 V 1330 pF @ 20 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 60 V 25 V
Grundproduktnummer NTP6412 NTP644 NTP60N NTP65N
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.2mOhm @ 58A, 10V 13mOhm @ 76A, 10V 14mOhm @ 30A, 10V 10.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 81 nC @ 10 V 9.5 nC @ 4.5 V
Verlustleistung (max) 167W (Tc) - 2.4W (Ta), 150W (Tj) 1.04W (Ta), 62.5W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 58A (Tc) 80A (Tc) 60A (Ta) 7.6A (Ta), 58A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

NTP6412ANG Datenblatt PDF

Laden Sie NTP6412ANG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTP6412ANG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014.pdf
Datenblätter
NTB,NTP6412AN.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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