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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTR2101PT1
NTR2101PT1 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NTR2101PT1 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTR2101PT1
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTR2101PT1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
NTR2101P.pdf
vorrätig: 5490

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Anzahl

Spezifikation

NTR2101PT1 Tech -Spezifikationen
onsemi - NTR2101PT1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTR2101PT1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 3.5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 960mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1173 pF @ 4 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 8 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.7A (Ta)  
Grundproduktnummer NTR210  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTR2101PT1.

Produkteigenschaften NTR2101PT1 NTR1P02T1G NTR2101PT1G NTR1P02T3G
Artikelnummer NTR2101PT1 NTR1P02T1G NTR2101PT1G NTR1P02T3G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1173 pF @ 4 V 165 pF @ 5 V 1173 pF @ 4 V 165 pF @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 3.5A, 4.5V 180mOhm @ 1.5A, 10V 52mOhm @ 3.5A, 4.5V 180mOhm @ 1.5A, 10V
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Verlustleistung (max) 960mW (Ta) 400mW (Ta) 960mW (Ta) 400mW (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V 2.5 nC @ 5 V 15 nC @ 4.5 V 2.5 nC @ 5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.7A (Ta) 1A (Ta) 3.7A (Ta) 1A (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 8 V 20 V 8 V 20 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer NTR210 NTR1P02 NTR2101 NTR1P0
Vgs (Max) ±8V ±20V ±8V ±20V
Serie - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.3V @ 250µA 1V @ 250µA 2.3V @ 250µA

NTR2101PT1 Datenblatt PDF

Laden Sie NTR2101PT1 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTR2101PT1 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 03/Jan/2008.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Copper Wire 26/May/2009.pdf
Datenblätter
NTR2101P.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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