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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTR3C21NZT3G
NTR3C21NZT3G Image
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NTR3C21NZT3G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTR3C21NZT3G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTR3C21NZT3G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
NTR3C21NZ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 223580

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Anzahl

Spezifikation

NTR3C21NZT3G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTR3C21NZT3G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTR3C21NZT3G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 470mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1540 pF @ 16 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.8 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.6A (Ta)  
Grundproduktnummer NTR3C21  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTR3C21NZT3G.

Produkteigenschaften NTR3C21NZT3G NTR3A052PZT1G NTR4003NT3G NTR4101PT1G
Artikelnummer NTR3C21NZT3G NTR3A052PZT1G NTR4003NT3G NTR4101PT1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Vgs (Max) ±8V ±8V ±20V ±8V
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 470mW (Ta) 860mW (Ta) 690mW (Ta) 420mW (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1.4V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 5A, 4.5V 47mOhm @ 3.5A, 4.5V 1.5Ohm @ 10mA, 4V 85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.8 nC @ 4.5 V 11.9 nC @ 4.5 V 1.15 nC @ 5 V 8.5 nC @ 4.5 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer NTR3C21 NTR3A052 NTR4003 NTR4101
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1540 pF @ 16 V 1243 pF @ 4 V 21 pF @ 5 V 675 pF @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 30 V 20 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.5V, 4.5V 2.5V, 4V 1.8V, 4.5V
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.6A (Ta) 3.6A (Ta) 500mA (Ta) 1.8A (Ta)

NTR3C21NZT3G Datenblatt PDF

Laden Sie NTR3C21NZT3G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTR3C21NZT3G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
SOT23 16/Sep/2016.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mold Compound 07/Sep/2019.pdf
Datenblätter
NTR3C21NZ.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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