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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTS2101PT1
NTS2101PT1 Image
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NTS2101PT1 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTS2101PT1
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTS2101PT1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-70, SOT-323
Datenblatt
NTS2101P.pdf
vorrätig: 4970

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Spezifikation

NTS2101PT1 Tech -Spezifikationen
onsemi - NTS2101PT1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTS2101PT1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-70-3 (SOT323)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 290mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 8 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 8 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.4A (Ta)  
Grundproduktnummer NTS210  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTS2101PT1.

Produkteigenschaften NTS2101PT1 NTS2101PT1G NTS245ESFT1G NTS2101P
Artikelnummer NTS2101PT1 NTS2101PT1G NTS245ESFT1G NTS2101P
Hersteller onsemi onsemi AMI Semiconductor/onsemi AMI Semiconductor/onsemi
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 5 V 6.4 nC @ 5 V - -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA - -
Supplier Device-Gehäuse SC-70-3 (SOT323) SC-70-3 (SOT323) - -
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V - -
Verlustleistung (max) 290mW (Ta) 290mW (Ta) - -
Typ FET P-Channel P-Channel - -
Vgs (Max) ±8V ±8V - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 8 V 8 V - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1A, 4.5V 100mOhm @ 1A, 4.5V - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 8 V 640 pF @ 8 V - -
Serie - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.4A (Ta) 1.4A (Ta) - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
Grundproduktnummer NTS210 NTS2101 - -

NTS2101PT1 Datenblatt PDF

Laden Sie NTS2101PT1 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTS2101PT1 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 03/Jan/2008.pdf
Datenblätter
NTS2101P.pdf

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Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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