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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTTFS4C08NTAG
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NTTFS4C08NTAG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTTFS4C08NTAG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTTFS4C08NTAG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
NTTFS4C08N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 71490

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Anzahl

Spezifikation

NTTFS4C08NTAG Tech -Spezifikationen
onsemi - NTTFS4C08NTAG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTTFS4C08NTAG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 820mW (Ta), 25.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1113 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.2 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.3A (Ta)  
Grundproduktnummer NTTFS4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTTFS4C08NTAG.

Produkteigenschaften NTTFS4C08NTAG NTTFS4C02NTAG NTTFS4C08NTWG NTTFS4C25NTWG
Artikelnummer NTTFS4C08NTAG NTTFS4C02NTAG NTTFS4C08NTWG NTTFS4C25NTWG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.2 nC @ 10 V 20 nC @ 4.5 V 18.2 nC @ 10 V 10.3 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.3A (Ta) 170A (Tc) 9.3A (Ta) 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9mOhm @ 30A, 10V 2.25mOhm @ 20A, 10V 5.9mOhm @ 30A, 10V 17mOhm @ 10A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1113 pF @ 15 V 2980 pF @ 15 V 1113 pF @ 15 V 500 pF @ 15 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3)
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Verlustleistung (max) 820mW (Ta), 25.5W (Tc) 91W (Tc) 820mW (Ta), 25.5W (Tc) 690mW (Ta), 20.2W (Tc)
Grundproduktnummer NTTFS4 NTTFS4 NTTFS4 NTTFS4

NTTFS4C08NTAG Datenblatt PDF

Laden Sie NTTFS4C08NTAG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTTFS4C08NTAG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Wafer Chgs 26/Aug/2021.pdf
Datenblätter
NTTFS4C08N.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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