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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVD20N03L27T4G
NVD20N03L27T4G Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NVD20N03L27T4G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVD20N03L27T4G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVD20N03L27T4G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
NTD20N03L27, NVD20N03L27.pdf
vorrätig: 4860

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Spezifikation

NVD20N03L27T4G Tech -Spezifikationen
onsemi - NVD20N03L27T4G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVD20N03L27T4G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 10A, 5V  
Verlustleistung (max) 1.75W (Ta), 74W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1260 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.9 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Ta)  
Grundproduktnummer NVD20N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVD20N03L27T4G.

Produkteigenschaften NVD20N03L27T4G NVD4815NT4G NVD3055L170T4G NVD5117PLT4G-VF01
Artikelnummer NVD20N03L27T4G NVD4815NT4G NVD3055L170T4G NVD5117PLT4G-VF01
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 60 V 60 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4.5V, 11.5V 5V 4.5V, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Grundproduktnummer NVD20N NVD481 - NVD5117
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 10A, 5V 15mOhm @ 30A, 10V 170mOhm @ 4.5A, 5V 16mOhm @ 29A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Ta) 6.9A (Ta), 35A (Tc) 9A (Ta) 11A (Ta), 61A (Tc)
Verlustleistung (max) 1.75W (Ta), 74W (Tc) 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) 1.5W (Ta), 28.5W (Tj) 4.1W (Ta), 118W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±15V ±20V
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK-3 DPAK DPAK
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.9 nC @ 10 V 6.6 nC @ 4.5 V 10 nC @ 5 V 85 nC @ 10 V
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 - Automotive, AEC-Q101
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1260 pF @ 25 V 770 pF @ 12 V 275 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -

NVD20N03L27T4G Datenblatt PDF

Laden Sie NVD20N03L27T4G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVD20N03L27T4G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 08/Jul/2021.pdf EOL 23/Dec/2016.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
G700HF Dev Mold Chg 10/Sep/2018.pdf
Datenblätter
NTD20N03L27, NVD20N03L27.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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