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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVMFS4C05NT3G
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NVMFS4C05NT3G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVMFS4C05NT3G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVMFS4C05NT3G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN, 5 Leads
Datenblatt
NVMFS4C05N(WF).pdf
RoHS Status
vorrätig: 43480

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Anzahl

Spezifikation

NVMFS4C05NT3G Tech -Spezifikationen
onsemi - NVMFS4C05NT3G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVMFS4C05NT3G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.61W (Ta), 79W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1972 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24.7A (Ta), 116A (Tc)  
Grundproduktnummer NVMFS4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVMFS4C05NT3G.

Produkteigenschaften NVMFS4C05NT3G NVMFS4C05NWFT3G NVMFS4841NWFT1G NVMFS4C01NT3G
Artikelnummer NVMFS4C05NT3G NVMFS4C05NWFT3G NVMFS4841NWFT1G NVMFS4C01NT3G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Verlustleistung (max) 3.61W (Ta), 79W (Tc) 3.61W (Ta), 79W (Tc) 3.7W (Ta), 112W (Tc) 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24.7A (Ta), 116A (Tc) 24.7A (Ta), 116A (Tc) 16A (Ta) 49A (Ta), 319A (Tc)
Grundproduktnummer NVMFS4 NVMFS4 NVMFS4 NVMFS4
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1972 pF @ 15 V 1972 pF @ 15 V 1436 pF @ 12 V 10144 pF @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 30A, 10V 3.4mOhm @ 30A, 10V 7mOhm @ 30A, 10V 0.9mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 17 nC @ 4.5 V 139 nC @ 10 V

NVMFS4C05NT3G Datenblatt PDF

Laden Sie NVMFS4C05NT3G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVMFS4C05NT3G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Enlarged Clip Implementation 15/Jan/2015.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Wafer Fab Chg 8/Jan/2021.pdf
Datenblätter
NVMFS4C05N(WF).pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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