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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVMFS5A160PLZT3G
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NVMFS5A160PLZT3G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVMFS5A160PLZT3G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVMFS5A160PLZT3G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN, 5 Leads
Datenblatt
NVMFS5A160PLZ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4800

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Anzahl

Spezifikation

NVMFS5A160PLZT3G Tech -Spezifikationen
onsemi - NVMFS5A160PLZT3G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVMFS5A160PLZT3G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.7mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7700 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Ta), 100A (Tc)  
Grundproduktnummer NVMFS5  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVMFS5A160PLZT3G.

Produkteigenschaften NVMFS5A160PLZT3G NVMFS5885NLWFT1G NVMFS5A160PLZT1G NVMFS5C404NT1G
Artikelnummer NVMFS5A160PLZT3G NVMFS5885NLWFT1G NVMFS5A160PLZT1G NVMFS5C404NT1G
Hersteller onsemi onsemi AMI Semiconductor / ON Semiconductor onsemi
Grundproduktnummer NVMFS5 NVMFS5885 - NVMFS5
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7700 pF @ 20 V 1340 pF @ 25 V 7700pF @ 20V 8400 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.7mOhm @ 50A, 10V 15mOhm @ 15A, 10V 7.7 mOhm @ 50A, 10V 0.7mOhm @ 50A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V 160nC @ 10V 128 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Ta), 100A (Tc) 10.2A (Ta) 15A (Ta), 100A (Tc) 378A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.7W (Ta), 54W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60V 40 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA 2.5V @ 250µA 2.6V @ 1mA 4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads

NVMFS5A160PLZT3G Datenblatt PDF

Laden Sie NVMFS5A160PLZT3G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVMFS5A160PLZT3G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
DK OBS NOTICE.pdf Mult Dev EOL 7/Apr/2021.pdf
Datenblätter
NVMFS5A160PLZ.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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