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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVMFS5C673NLT3G
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NVMFS5C673NLT3G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVMFS5C673NLT3G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVMFS5C673NLT3G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 5DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN, 5 Leads
Datenblatt
NVMFS5C673NL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4050

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Anzahl

Spezifikation

NVMFS5C673NLT3G Tech -Spezifikationen
onsemi - NVMFS5C673NLT3G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVMFS5C673NLT3G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 35µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.2mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 46W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)  
Grundproduktnummer NVMFS5  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVMFS5C673NLT3G.

Produkteigenschaften NVMFS5C673NLT3G NVMFS6B05NLT1G NVMFS5C682NLAFT1G NVMFS5C670NWFT1G
Artikelnummer NVMFS5C673NLT3G NVMFS6B05NLT1G NVMFS5C682NLAFT1G NVMFS5C670NWFT1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) 114A (Tc) 8.8A (Ta), 25A (Tc) 17A (Ta), 71A (Tc)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.2mOhm @ 25A, 10V 5.6mOhm @ 20A, 10V 21mOhm @ 10A, 10V 7mOhm @ 11A, 10V
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 100 V 60 V 60 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V 6.8 nC @ 10 V 5 nC @ 10 V 14.4 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 25 V 3980 pF @ 25 V 410 pF @ 25 V 1035 pF @ 30 V
Grundproduktnummer NVMFS5 - NVMFS5 NVMFS5
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 46W (Tc) 3.8W (Ta), 165W (Tc) 3.5W (Ta), 28W (Tc) 3.6W (Ta), 61W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 35µA 3V @ 250µA 2V @ 16µA 4V @ 53µA

NVMFS5C673NLT3G Datenblatt PDF

Laden Sie NVMFS5C673NLT3G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVMFS5C673NLT3G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Transfer 6/Jul/2017.pdf
Datenblätter
NVMFS5C673NL.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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