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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVMFS6B14NLT1G
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NVMFS6B14NLT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVMFS6B14NLT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVMFS6B14NLT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN, 5 Leads
Datenblatt
NVMFS6B14NLT1G.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4780

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Anzahl

Spezifikation

NVMFS6B14NLT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NVMFS6B14NLT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVMFS6B14NLT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 94W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1680 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta), 55A (Tc)  
Grundproduktnummer NVMFS6  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVMFS6B14NLT1G.

Produkteigenschaften NVMFS6B14NLT1G NVMFS6B14NLWFT1G NVMFS6B05NLWFT3G NVMFS5C682NLT3G
Artikelnummer NVMFS6B14NLT1G NVMFS6B14NLWFT1G NVMFS6B05NLWFT3G NVMFS5C682NLT3G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 60 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 16µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 20A, 10V 13mOhm @ 20A, 10V 5.6mOhm @ 20A, 10V 21mOhm @ 10A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta), 55A (Tc) 11A (Ta), 55A (Tc) 114A (Tc) 25A (Tc)
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 94W (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) 3.8W (Ta), 165W (Tc) 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Grundproduktnummer NVMFS6 NVMFS6 - NVMFS5
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 4.5 V 8 nC @ 4.5 V 6.8 nC @ 10 V 5 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1680 pF @ 25 V 1680 pF @ 25 V 3980 pF @ 25 V 410 pF @ 25 V

NVMFS6B14NLT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NVMFS6B14NLT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVMFS6B14NLT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 7/Apr/2021.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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