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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVMFS6H836NWFT1G
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NVMFS6H836NWFT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVMFS6H836NWFT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVMFS6H836NWFT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 15A/74A 5DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN, 5 Leads
Datenblatt
NVMFS6H836N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 43840

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Anzahl

Spezifikation

NVMFS6H836NWFT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NVMFS6H836NWFT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVMFS6H836NWFT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 95µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 89W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1640 pF @ 40 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Ta), 74A (Tc)  
Grundproduktnummer NVMFS6  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVMFS6H836NWFT1G.

Produkteigenschaften NVMFS6H836NWFT1G NVMFS6H864NLWFT1G NVMFS6H824NWFT1G NVMFS6H824NLT1G
Artikelnummer NVMFS6H836NWFT1G NVMFS6H864NLWFT1G NVMFS6H824NWFT1G NVMFS6H824NLT1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 9 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Ta), 74A (Tc) 7A (Ta), 22A (Tc) 19A (Ta), 103A (Tc) 20A (Ta), 110A (Tc)
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 89W (Tc) 3.5W (Ta), 33W (Tc) 3.8W (Ta), 115W (Tc) 3.8W (Ta), 116W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 15A, 10V 29mOhm @ 5A, 10V 4.5mOhm @ 20A, 10V 4mOhm @ 20A, 10V
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount, Wettable Flank Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1640 pF @ 40 V 431 pF @ 40 V 2470 pF @ 40 V 2900 pF @ 40 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 95µA 2V @ 20µA 4V @ 140µA 2V @ 140µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 80 V 80 V 80 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer NVMFS6 NVMFS6 NVMFS6 NVMFS6

NVMFS6H836NWFT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NVMFS6H836NWFT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVMFS6H836NWFT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev DryPack/Assembly Chgs 25/Feb/2021.pdf
Datenblätter
NVMFS6H836N.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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