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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRFD14N05LSM
RFD14N05LSM Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

RFD14N05LSM - onsemi

Hersteller Artikelnummer
RFD14N05LSM
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-RFD14N05LSM
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
RFD14N05L/LSM, RFP14N05L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 90630

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Anzahl

Spezifikation

RFD14N05LSM Tech -Spezifikationen
onsemi - RFD14N05LSM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - RFD14N05LSM

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 14A, 5V  
Verlustleistung (max) 48W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc)  
Grundproduktnummer RFD14N05  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi RFD14N05LSM.

Produkteigenschaften RFD14N05LSM RFD14N05SM9A RFD12N06RLESM9A RFD14N05LSM9A
Artikelnummer RFD14N05LSM RFD14N05SM9A RFD12N06RLESM9A RFD14N05LSM9A
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Harris Corporation
Paket Tube Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Verlustleistung (max) 48W (Tc) 48W (Tc) 49W (Tc) 48W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 40 nC @ 20 V 15 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 14A, 5V 100mOhm @ 14A, 10V 63mOhm @ 18A, 10V 100mOhm @ 14A, 5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 25 V 570 pF @ 25 V 485 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V 10V 4.5V, 10V 5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50 V 50 V 60 V 50 V
Serie - - UltraFET™ -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc) 14A (Tc) 18A (Tc) 14A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±10V ±20V ±16V ±10V
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252, (D-Pak)
Grundproduktnummer RFD14N05 - RFD12N06 -

RFD14N05LSM Datenblatt PDF

Laden Sie RFD14N05LSM PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für RFD14N05LSM - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
PCN -Verpackung
Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf P4C7AAB 08/Jan/2015.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Change 28/May/2023.pdf
Datenblätter
RFD14N05L/LSM, RFP14N05L.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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RFD14N05LSM

onsemi
32D-RFD14N05LSM

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