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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRFP22N10
RFP22N10 Image
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RFP22N10 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
RFP22N10
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-RFP22N10
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
RFP22N10, RF1S22N10SM.pdf
vorrätig: 3930

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Anzahl

Spezifikation

RFP22N10 Tech -Spezifikationen
onsemi - RFP22N10 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - RFP22N10

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 22A, 10V  
Verlustleistung (max) 100W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc)  
Grundproduktnummer RFP22  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi RFP22N10.

Produkteigenschaften RFP22N10 RFP15P05 RFP15N05L RFP15P05
Artikelnummer RFP22N10 RFP15P05 RFP15N05L RFP15P05
Hersteller onsemi Harris Corporation Harris Corporation onsemi
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 5V 10V
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 20 V 150 nC @ 20 V - 150 nC @ 20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc) 15A (Tc) 15A (Tc) 15A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 50 V 50 V 50 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 22A, 10V 150mOhm @ 15A, 10V 140mOhm @ 15A, 5V 150mOhm @ 15A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±10V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 100W (Tc) 80W (Tc) 60W (Tc) 80W (Tc)
Grundproduktnummer RFP22 - - RFP15
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel

RFP22N10 Datenblatt PDF

Laden Sie RFP22N10 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für RFP22N10 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf RFP22N10, RF1S22N10SM.pdf

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
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