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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRFP70N06
RFP70N06 Image
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RFP70N06 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
RFP70N06
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-RFP70N06
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 70A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
RoHS Status
vorrätig: 35744

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Anzahl

Spezifikation

RFP70N06 Tech -Spezifikationen
onsemi - RFP70N06 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - RFP70N06

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 70A, 10V  
Verlustleistung (max) 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2250 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 156 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 70A (Tc)  
Grundproduktnummer RFP70  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi RFP70N06.

Produkteigenschaften RFP70N06 RFP70N03 RFP8P05 RFP70N03
Artikelnummer RFP70N06 RFP70N03 RFP8P05 RFP70N03
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Harris Corporation
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 70A, 10V 10mOhm @ 70A, 10V 300mOhm @ 8A, 10V 10mOhm @ 70A, 10V
Grundproduktnummer RFP70 RFP70 - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 70A (Tc) 70A (Tc) 8A (Tc) 70A (Tc)
Vgs (Max) ±20V - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - - -
Paket Tube Tube Tube Tube
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2250 pF @ 25 V 3300 pF @ 25 V - 3300 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 156 nC @ 20 V 260 nC @ 20 V 80 nC @ 20 V 260 nC @ 20 V
Verlustleistung (max) 150W (Tc) - - -
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Serie - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 30 V 50 V 30 V

RFP70N06 Datenblatt PDF

Laden Sie RFP70N06 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für RFP70N06 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Asembly Chg 7/May/2020.pdf

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Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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