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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedSDTC114EET1G
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Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SDTC114EET1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
SDTC114EET1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-SDTC114EET1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-75, SOT-416
Datenblatt
MUN(2,5)211, MMUN2211L, DTC114Exx, NSBC114EF3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 487400

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Spezifikation

SDTC114EET1G Tech -Spezifikationen
onsemi - SDTC114EET1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - SDTC114EET1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SC-75, SOT-416  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Leistung - max 200 mW  
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 35 @ 5mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer SDTC114  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi SDTC114EET1G.

Produkteigenschaften SDTC114EET1G SDTC144EET1G SDTNLJCHSM-4096 SDT8A120P5-13
Artikelnummer SDTC114EET1G SDTC144EET1G SDTNLJCHSM-4096 SDT8A120P5-13
Hersteller onsemi onsemi SANDISK Diodes Incorporated
Leistung - max 200 mW 200 mW - -
Grundproduktnummer SDTC114 SDTC144 - SDT8A120
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms 47 kOhms - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA - -
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416 SC-75, SOT-416 - PowerDI™ 5
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 35 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA - -
Supplier Device-Gehäuse SC-75, SOT-416 SC-75, SOT-416 - PowerDI™ 5
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms 47 kOhms - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA - -

SDTC114EET1G Datenblatt PDF

Laden Sie SDTC114EET1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für SDTC114EET1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Green Compound Update 04/Mar/2015.pdf
Datenblätter
MUN(2,5)211, MMUN2211L, DTC114Exx, NSBC114EF3.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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