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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-EinzelSGP10N60RUFDTU
SGP10N60RUFDTU Image
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SGP10N60RUFDTU - onsemi

Hersteller Artikelnummer
SGP10N60RUFDTU
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-SGP10N60RUFDTU
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT 600V 16A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
SGP10N60RUFD.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5490

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Anzahl

Spezifikation

SGP10N60RUFDTU Tech -Spezifikationen
onsemi - SGP10N60RUFDTU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - SGP10N60RUFDTU

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 10A  
Testbedingung 300V, 10A, 20Ohm, 15V  
Td (ein / aus) bei 25 ° C 15ns/36ns  
Schaltenergie 141µJ (on), 215µJ (off)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 60 ns  
Leistung - max 75 W  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp Standard  
IGBT-Typ -  
Gate-Ladung 30 nC  
Strom - Collector Pulsed (Icm) 30 A  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 16 A  
Grundproduktnummer SGP10N60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi SGP10N60RUFDTU.

Produkteigenschaften SGP10N60RUFDTU SGP10N60RUFDTU SGP13N60UFDTU SGP07N120XKSA1
Artikelnummer SGP10N60RUFDTU SGP10N60RUFDTU SGP13N60UFDTU SGP07N120XKSA1
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Infineon Technologies
Grundproduktnummer SGP10N60 SGP10N60 SGP13N60 SGP07N
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V 600 V 600 V 1200 V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 15ns/36ns 15ns/36ns 20ns/70ns 27ns/440ns
Eingabetyp Standard Standard Standard Standard
Paket Tube Bulk Tube Tube
Testbedingung 300V, 10A, 20Ohm, 15V 300V, 10A, 20Ohm, 15V 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V 800V, 8A, 47Ohm, 15V
Serie - - - -
Gate-Ladung 30 nC 30 nC 25 nC 70 nC
Leistung - max 75 W 75 W 60 W 125 W
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 60 ns 60 ns 55 ns -
Schaltenergie 141µJ (on), 215µJ (off) 141µJ (on), 215µJ (off) 85µJ (on), 95µJ (off) 1mJ
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 PG-TO220-3-1
Strom - Collector Pulsed (Icm) 30 A 30 A 52 A 27 A
IGBT-Typ - - - NPT
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 10A 2.8V @ 15V, 10A 2.6V @ 15V, 6.5A 3.6V @ 15V, 8A
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Kollektor (Ic) (max) 16 A 16 A 13 A 16.5 A
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

SGP10N60RUFDTU Datenblatt PDF

Laden Sie SGP10N60RUFDTU PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für SGP10N60RUFDTU - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 01/Oct/2021.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf SGP10N60RUFD.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Mold Chg 28/Oct/2019.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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