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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI4532DY
SI4532DY Image
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SI4532DY - onsemi

Hersteller Artikelnummer
SI4532DY
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-SI4532DY
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 3.9/3.5A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
SI4532DY.pdf
RoHS Status
vorrätig: 81050

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Anzahl

Spezifikation

SI4532DY Tech -Spezifikationen
onsemi - SI4532DY Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - SI4532DY

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.9A, 10V  
Leistung - max 900mW  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 235pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.9A, 3.5A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer SI4532  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi SI4532DY.

Produkteigenschaften SI4532DY SI4532DY SI4532CDY-T1-GE3 SI4532ADY-T1-E3
Artikelnummer SI4532DY SI4532DY SI4532CDY-T1-GE3 SI4532ADY-T1-E3
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix Vishay Siliconix
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)
Grundproduktnummer SI4532 SI4532 SI4532 SI4532
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.9A, 3.5A 3.9A, 3.5A 6A, 4.3A 3.7A, 3A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V 15nC @ 10V 9nC @ 10V 16nC @ 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 235pF @ 10V 235pF @ 10V 305pF @ 15V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.9A, 10V 65mOhm @ 3.9A, 10V 47mOhm @ 3.5A, 10V 53mOhm @ 4.9A, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Leistung - max 900mW 900mW 2.78W 1.13W, 1.2W
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - Logic Level Gate
Serie - - TrenchFET® TrenchFET®
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC

SI4532DY Datenblatt PDF

Laden Sie SI4532DY PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für SI4532DY - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 12/Dec/2007.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 24/Dec/2021.pdf Mult Dev Retraction 14/Jan/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Korea Fab Site Add 3/Jan/2017.pdf
Datenblätter
SI4532DY.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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