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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelSMBT35200MT1G
SMBT35200MT1G Image
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SMBT35200MT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
SMBT35200MT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-SMBT35200MT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
MBT35200MT1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 178320

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Anzahl

Spezifikation

SMBT35200MT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - SMBT35200MT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - SMBT35200MT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 35 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 310mV @ 20mA, 2A  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse 6-TSOP  
Serie -  
Leistung - max 625 mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 100MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1.5A, 1.5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A  
Grundproduktnummer SMBT35200  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi SMBT35200MT1G.

Produkteigenschaften SMBT35200MT1G SMBT3904B5000 SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327
Artikelnummer SMBT35200MT1G SMBT3904B5000 SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327
Hersteller onsemi Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1.5A, 1.5V 100 @ 10mA, 1V 100 @ 150mA, 10V -
Grundproduktnummer SMBT35200 - MBT2907A -
Leistung - max 625 mW 330 mW 330 mW -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A 200 mA 600 mA -
Supplier Device-Gehäuse 6-TSOP PG-SOT23 PG-SOT23 -
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -
Transistor-Typ PNP NPN PNP -
Frequenz - Übergang 100MHz 300MHz 200MHz -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 35 V 40 V 60 V -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 310mV @ 20mA, 2A 300mV @ 5mA, 50mA 1.6V @ 50mA, 500mA -
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA 50nA (ICBO) 10nA (ICBO) -

SMBT35200MT1G Datenblatt PDF

Laden Sie SMBT35200MT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für SMBT35200MT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Devices 17/Aug/2017.pdf
Datenblätter
MBT35200MT1.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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