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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedSMMUN2211LT1G
SMMUN2211LT1G Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SMMUN2211LT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
SMMUN2211LT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-SMMUN2211LT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 50 SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
MUN(2,5)211, MMUN2211L, DTC114Exx, NSBC114EF3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 564150

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Spezifikation

SMMUN2211LT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - SMMUN2211LT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - SMMUN2211LT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Leistung - max 246 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 35 @ 5mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer SMMUN2211  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi SMMUN2211LT1G.

Produkteigenschaften SMMUN2211LT1G SMMUN2233LT1G SMMUN2111LT1G SMMUN2111LT3G
Artikelnummer SMMUN2211LT1G SMMUN2233LT1G SMMUN2111LT1G SMMUN2111LT3G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Leistung - max 246 mW 246 mW 246 mW 246 mW
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie Automotive, AEC-Q101 - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms 47 kOhms 10 kOhms 10 kOhms
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms 4.7 kOhms 10 kOhms 10 kOhms
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 35 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V 35 @ 5mA, 10V 35 @ 5mA, 10V
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Grundproduktnummer SMMUN2211 SMMUN2233 SMMUN2111 SMMUN2111
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased

SMMUN2211LT1G Datenblatt PDF

Laden Sie SMMUN2211LT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für SMMUN2211LT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
SOT23 27/Sep/2016.pdf Pd-Coated Cu Wire Update 23/Sep/2015.pdf
Datenblätter
MUN(2,5)211, MMUN2211L, DTC114Exx, NSBC114EF3.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Mold Comp Chg 16/Nov/2019.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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