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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelSS8550DTA
SS8550DTA Image
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SS8550DTA - onsemi

Hersteller Artikelnummer
SS8550DTA
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-SS8550DTA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 25V 1.5A TO92-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Datenblatt
SS8550BBU Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 394100

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Anzahl

Spezifikation

SS8550DTA Tech -Spezifikationen
onsemi - SS8550DTA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - SS8550DTA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 25 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 80mA, 800mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3  
Serie -  
Leistung - max 1 W  
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Cut Tape (CT)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 200MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 160 @ 100mA, 1V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1.5 A  
Grundproduktnummer SS8550  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi SS8550DTA.

Produkteigenschaften SS8550DTA SS8550CBU SS8550DBU SS8550DBU
Artikelnummer SS8550DTA SS8550CBU SS8550DBU SS8550DBU
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 160 @ 100mA, 1V 120 @ 100mA, 1V 160 @ 100mA, 1V 160 @ 100mA, 1V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 80mA, 800mA 500mV @ 80mA, 800mA 500mV @ 80mA, 800mA 500mV @ 80mA, 800mA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 25 V 25 V 25 V 25 V
Grundproduktnummer SS8550 SS8550 SS8550 -
Paket Cut Tape (CT) Bulk Bulk Bulk
Serie - - - -
Frequenz - Übergang 200MHz 200MHz 200MHz 200MHz
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Leistung - max 1 W 1 W 1 W 1 W
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Transistor-Typ PNP PNP PNP PNP

SS8550DTA Datenblatt PDF

Laden Sie SS8550DTA PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für SS8550DTA - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Copper Lead Frame 12/Oct/2007.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 15/Feb/2023.pdf
Datenblätter
SS8550BBU Datasheet.pdf

Lieferung

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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