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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSSN1N45BTA
SSN1N45BTA Image
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SSN1N45BTA - onsemi

Hersteller Artikelnummer
SSN1N45BTA
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-SSN1N45BTA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Datenblatt
SSN1N45B.pdf
RoHS Status
vorrätig: 126710

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Anzahl

Spezifikation

SSN1N45BTA Tech -Spezifikationen
onsemi - SSN1N45BTA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - SSN1N45BTA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA  
Vgs (Max) ±50V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.25Ohm @ 250mA, 10V  
Verlustleistung (max) 900mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 240 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 450 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 500mA (Tc)  
Grundproduktnummer SSN1N45  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi SSN1N45BTA.

Produkteigenschaften SSN1N45BTA IRL2703STRL STD7N65M2 IRL3714STRR
Artikelnummer SSN1N45BTA IRL2703STRL STD7N65M2 IRL3714STRR
Hersteller onsemi Infineon Technologies STMicroelectronics Infineon Technologies
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - HEXFET® MDmesh™ HEXFET®
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 900mW (Ta) 45W (Tc) 60W (Tc) 47W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3 D2PAK DPAK D2PAK
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 500mA (Tc) 24A (Tc) 5A (Tc) 36A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 450 V 30 V 650 V 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V 15 nC @ 4.5 V 9 nC @ 10 V 9.7 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.25Ohm @ 250mA, 10V 40mOhm @ 14A, 10V 1.15Ohm @ 2.5A, 10V 20mOhm @ 18A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA 1V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 240 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V 270 pF @ 100 V 670 pF @ 10 V
Vgs (Max) ±50V ±16V ±25V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer SSN1N45 - STD7N65 -

SSN1N45BTA Datenblatt PDF

Laden Sie SSN1N45BTA PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für SSN1N45BTA - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Drawing Update 18/Apr/2021.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Parts obs 30/Jun/2022.pdf
Datenblätter
SSN1N45B.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Chgs 4/Nov/2020.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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