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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelTIP111TU
TIP111TU Image
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TIP111TU - onsemi

Hersteller Artikelnummer
TIP111TU
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-TIP111TU
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN DARL 80V 2A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
TIP110-12.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4650

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Anzahl

Spezifikation

TIP111TU Tech -Spezifikationen
onsemi - TIP111TU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - TIP111TU

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 80 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 8mA, 2A  
Transistor-Typ NPN - Darlington  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
Leistung - max 2 W  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 1A, 4V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 2mA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A  
Grundproduktnummer TIP111  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi TIP111TU.

Produkteigenschaften TIP111TU TIP112 TIP111 TIP112
Artikelnummer TIP111TU TIP112 TIP111 TIP112
Hersteller onsemi NTE Electronics, Inc Fairchild Semiconductor Solid State Inc.
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Leistung - max 2 W 2 W 50 W 50 W
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 80 V 100 V 80 V 100 V
Serie - - - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Paket Tube Bag Bulk Bulk
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 1A, 4V 1000 @ 1A, 4V 1000 @ 1A, 4V 1000 @ 1A, 4V
Grundproduktnummer TIP111 - - -
Transistor-Typ NPN - Darlington NPN - Darlington NPN - Darlington NPN - Darlington
Strom - Collector Cutoff (Max) 2mA 2mA 2mA 2mA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A 2 A 2 A 2 A
Frequenz - Übergang - - 25MHz -
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220 TO-220-3 TO-220
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 8mA, 2A 2.5V @ 8mA, 2A 2.5V @ 8mA, 2A 2.5V @ 8mA, 2A

TIP111TU Datenblatt PDF

Laden Sie TIP111TU PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für TIP111TU - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 01/Oct/2021.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf TIP110-12.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Lead Frame Dimensions 29/Nov/2007.pdf Heatsink Desing Changes 24/Feb/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Mold Chg 28/Oct/2019.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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