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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysUSB10H
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

USB10H - onsemi

Hersteller Artikelnummer
USB10H
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-USB10H
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
USB10H.pdf
vorrätig: 3610

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Anzahl

Spezifikation

USB10H Tech -Spezifikationen
onsemi - USB10H Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - USB10H

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 1.9A, 4.5V  
Leistung - max 700mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 441pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.2nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.9A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer USB10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi USB10H.

Produkteigenschaften USB10H USB10H USB1T1103MPX USB12-1SD-075
Artikelnummer USB10H USB10H USB1T1103MPX USB12-1SD-075
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor SHAIRING
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 1.9A, 4.5V 170mOhm @ 1.9A, 4.5V - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 441pF @ 10V 441pF @ 10V - -
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Serie PowerTrench® PowerTrench® - -
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 14-MLP (2.5x2.5) -
Leistung - max 700mW 700mW - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.9A 1.9A - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.2nC @ 4.5V 4.2nC @ 4.5V - -
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 14-WFQFN Exposed Pad -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 85°C -
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA - -
Grundproduktnummer USB10 USB10 USB1T -

USB10H Datenblatt PDF

Laden Sie USB10H PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für USB10H - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
USB10H.pdf

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Versandkosten

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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