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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAS2302
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AS2302 - ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

Hersteller Artikelnummer
AS2302
Hersteller
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Allelco Artikelnummer
32D-AS2302
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
AS2302.pdf
RoHS Status
vorrätig: 815150

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Anzahl

Spezifikation

AS2302 Tech -Spezifikationen
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED - AS2302 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED - AS2302

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED  
VGS (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 700mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 220 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.81 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2302.

Produkteigenschaften AS2302 AS2324 AS2333E AS236-321LF
Artikelnummer AS2302 AS2324 AS2333E AS236-321LF
Hersteller ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED Artesyn Embedded Power Skyworks Solutions, Inc.
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 100 V - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3A, 4.5V 280mOhm @ 2A, 10V - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V - -
Serie - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
Verlustleistung (max) 700mW (Ta) 1.2W (Ta) - -
Vgs (Max) ±10V ±20V - -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - -
VGS (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA 3V @ 250µA - -
Supplier Device-Gehäuse SOT-23 SOT-23 - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.81 nC @ 4.5 V 5.3 nC @ 10 V - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 220 pF @ 10 V 330 pF @ 50 V - -
Typ FET N-Channel N-Channel - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta) 2A (Ta) - -

AS2302 Datenblatt PDF

Laden Sie AS2302 PDF -Datenblätter und ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED -Dokumentation für AS2302 - ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED herunter.

Datenblätter
AS2302.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
32D-AS2302

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