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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAO3160E
AO3160E Image
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AO3160E - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AO3160E
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AO3160E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 40MA SOT23A-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
AO3160E.pdf
RoHS Status
vorrätig: 285100

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Anzahl

Spezifikation

AO3160E Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AO3160E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AO3160E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 3.2V @ 8µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23A-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500Ohm @ 16mA, 10V  
Verlustleistung (max) 1.39W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9.5 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.9 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40mA (Ta)  
Grundproduktnummer AO31  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3160E.

Produkteigenschaften AO3160E AO3400 AO3160 AO3400A
Artikelnummer AO3160E AO3400 AO3160 AO3400A
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vgs (Max) ±20V ±12V ±20V ±12V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9.5 pF @ 25 V 630 pF @ 15 V 15 pF @ 25 V 630 pF @ 15 V
Verlustleistung (max) 1.39W (Ta) 1.4W (Ta) 1.39W (Ta) 1.4W (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 2.5V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 3-SMD, SOT-23-3 Variant TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40mA (Ta) 5.8A (Ta) 40mA (Ta) 5.7A (Ta)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 3.2V @ 8µA 1.45V @ 250µA 3.2V @ 8µA 1.5V @ 250µA
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse SOT-23A-3 SOT-23-3 SOT-23A-3 SOT-23-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500Ohm @ 16mA, 10V 28mOhm @ 5.8A, 10V 500Ohm @ 16mA, 10V 26.5mOhm @ 5.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.9 nC @ 10 V 7 nC @ 4.5 V 1.5 nC @ 10 V 7 nC @ 4.5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 30 V 600 V 30 V
Grundproduktnummer AO31 AO34 AO31 AO34
FET-Merkmal - - - -

AO3160E Datenblatt PDF

Laden Sie AO3160E PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AO3160E - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

Umweltinformationen
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Datenblätter
AO3160E.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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