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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysAO4612L
AO4612L Image
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AO4612L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AO4612L
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AO4612L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
AO4612L.pdf
vorrätig: 5260

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Spezifikation

AO4612L Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AO4612L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AO4612L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 4.5A, 10V, 105mOhm @ 3.2A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 30V, 1120pF @ 30V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V, 20nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Ta), 3.2A (Ta)  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer AO461  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4612L.

Produkteigenschaften AO4612L AO4614A AO4612 AO4614BL
Artikelnummer AO4612L AO4614A AO4612 AO4614BL
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha and Omega Semiconductor, Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Grundproduktnummer AO461 - AO461 AO4614
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leistung - max 2W 2W 2W 2W
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 30V, 1120pF @ 30V 404pF @ 20V 540pF @ 30V 650pF @ 20V, 1175pF @ 20V
Serie - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Ta), 3.2A (Ta) 6A, 5A 4.5A, 3.2A 6A (Ta), 5A (Ta)
FET-Merkmal - Logic Level Gate Logic Level Gate -
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Konfiguration N and P-Channel - N and P-Channel N and P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 40V 60V 40V
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Paket Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V, 20nC @ 10V 8.3nC @ 10V 10.5nC @ 10V 10.8nC @ 10V, 22nC @ 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 4.5A, 10V, 105mOhm @ 3.2A, 10V 31 mOhm @ 6A, 10V 56mOhm @ 4.5A, 10V 30mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V

AO4612L Datenblatt PDF

Laden Sie AO4612L PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AO4612L - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

Umweltinformationen
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
LTB Date Rev 08/May/2018.pdf Mult Dev LTB Update 12/Mar/2018.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices Assembly 24/Apr/2018.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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