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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOB10N60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOB10N60L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOB10N60L
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOB10N60L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 10A TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
TO263 (D2PAK) Pkg Drawing.pdf
AOx10N60(L).pdf
RoHS Status
vorrätig: 39680

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Spezifikation

AOB10N60L Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB10N60L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB10N60L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D2Pak)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5A, 10V  
Verlustleistung (max) 250W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)  
Grundproduktnummer AOB10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB10N60L.

Produkteigenschaften AOB10N60L AOB10T60PL AOB11S60L AOB11C60L
Artikelnummer AOB10N60L AOB10T60PL AOB11S60L AOB11C60L
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5A, 10V 700mOhm @ 5A, 10V 399mOhm @ 3.8A, 10V 400mOhm @ 5.5A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc) 10A (Tc) 11A (Tc) 11A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie - - aMOS™ -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.1V @ 250µA 5V @ 250µA
Grundproduktnummer AOB10 AOB10 AOB11 AOB11
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V 1595 pF @ 100 V 545 pF @ 100 V 2000 pF @ 100 V
Verlustleistung (max) 250W (Tc) 208W (Tc) 178W (Tc) 278W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V

AOB10N60L Datenblatt PDF

Laden Sie AOB10N60L PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOB10N60L - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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