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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOB12N60FDL
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOB12N60FDL - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOB12N60FDL
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOB12N60FDL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
TO263 (D2PAK) Pkg Drawing.pdf
AOx(x)12N60FD.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3600

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Spezifikation

AOB12N60FDL Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB12N60FDL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB12N60FDL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D2Pak)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 278W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2010 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer AOB12  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB12N60FDL.

Produkteigenschaften AOB12N60FDL AOB11S60L AOB1404L AOB11N60L
Artikelnummer AOB12N60FDL AOB11S60L AOB1404L AOB11N60L
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 11A (Tc) 15A (Ta), 220A (Tc) 11A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 40 V 600 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer AOB12 AOB11 AOB1404 AOB11
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.1V @ 250µA 3.7V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 6A, 10V 399mOhm @ 3.8A, 10V 3.9mOhm @ 20A, 10V 700mOhm @ 5.5A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2010 pF @ 25 V 545 pF @ 100 V 4300 pF @ 20 V 1990 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 278W (Tc) 178W (Tc) 2.1W (Ta), 417W (Tc) 272W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie - aMOS™ - -
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

AOB12N60FDL Datenblatt PDF

Laden Sie AOB12N60FDL PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOB12N60FDL - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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