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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOB29S50L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOB29S50L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOB29S50L
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOB29S50L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 29A TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
TO263 (D2PAK) Pkg Drawing.pdf
AOx29S50L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 13903

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Spezifikation

AOB29S50L Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB29S50L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB29S50L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D2Pak)  
Serie aMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 14.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 357W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1312 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26.6 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 29A (Tc)  
Grundproduktnummer AOB29S50  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB29S50L.

Produkteigenschaften AOB29S50L AOB411L AOB2918L AOB298L
Artikelnummer AOB29S50L AOB411L AOB2918L AOB298L
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 357W (Tc) 2.1W (Ta), 187W (Tc) 2.1W (Ta), 267W (Tc) 2.1W (Ta), 100W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1312 pF @ 100 V 6400 pF @ 30 V 3430 pF @ 50 V 1670 pF @ 50 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 60 V 100 V 100 V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Serie aMOS™ - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26.6 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 29A (Tc) 8A (Ta), 78A (Tc) 13A (Ta), 90A (Tc) 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 14.5A, 10V 16.5mOhm @ 20A, 10V 7mOhm @ 20A, 10V 14.5mOhm @ 20A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer AOB29S50 AOB411 AOB2918 AOB298
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3.9V @ 250µA 4.1V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

AOB29S50L Datenblatt PDF

Laden Sie AOB29S50L PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOB29S50L - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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