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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOB412L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOB412L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOB412L
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOB412L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 8.2A/60A TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
AOB412L.pdf
vorrätig: 4040

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Anzahl

Spezifikation

AOB412L Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB412L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB412L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D2Pak)  
Serie SDMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.6W (Ta), 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3220 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.2A (Ta), 60A (Tc)  
Grundproduktnummer AOB412  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB412L.

Produkteigenschaften AOB412L AOB416 AOB4184 AOB414
Artikelnummer AOB412L AOB416 AOB4184 AOB414
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Verlustleistung (max) 2.6W (Ta), 150W (Tc) 2.5W (Ta), 150W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 150W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie SDMOS™ SDMOS™ - SDMOS™
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V 7V, 10V 4.5V, 10V 7V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 40 V 100 V
Vgs (Max) ±25V ±25V ±20V ±25V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.2A (Ta), 60A (Tc) 6.2A (Ta), 45A (Tc) 12A (Ta), 50A (Tc) 6.6A (Ta), 51A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 20A, 10V 36mOhm @ 20A, 10V 10mOhm @ 20A, 10V 25mOhm @ 20A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3220 pF @ 50 V 1450 pF @ 50 V 1800 pF @ 20 V 2200 pF @ 50 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Grundproduktnummer AOB412 AOB41 AOB41 AOB41

AOB412L Datenblatt PDF

Laden Sie AOB412L PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOB412L - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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