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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOB4S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOB4S60L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOB4S60L
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOB4S60L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 4A TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
TO263 (D2PAK) Pkg Drawing.pdf
AOT4S60/AOB4S60/AOTF4S60.pdf
RoHS Status
vorrätig: 64040

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Spezifikation

AOB4S60L Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB4S60L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB4S60L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 4.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D2Pak)  
Serie aMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 83W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 263 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc)  
Grundproduktnummer AOB4S60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB4S60L.

Produkteigenschaften AOB4S60L AOB482L AOB470L AOB7S60L
Artikelnummer AOB4S60L AOB482L AOB470L AOB7S60L
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Verlustleistung (max) 83W (Tc) 2.1W (Ta), 333W (Tc) 2.1W (Ta), 268W (Tc) 104W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc) 11A (Ta), 105A (Tc) 10A (Ta), 100A (Tc) 7A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 263 pF @ 100 V 4870 pF @ 40 V 5640 pF @ 30 V 372 pF @ 100 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie aMOS™ SDMOS™ - aMOS™
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 7V, 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 2A, 10V 6.9mOhm @ 20A, 10V 10.2mOhm @ 30A, 10V 600mOhm @ 3.5A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±30V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 80 V 75 V 600 V
Grundproduktnummer AOB4S60 AOB482 AOB470 AOB7S60
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V 81 nC @ 10 V 136 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4.1V @ 250µA 3.7V @ 250µA 4V @ 250µA 3.9V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

AOB4S60L Datenblatt PDF

Laden Sie AOB4S60L PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOB4S60L - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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AOS Green Policy.pdf
Umweltinformationen
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Datenblätter
TO263 (D2PAK) Pkg Drawing.pdf AOT4S60/AOB4S60/AOTF4S60.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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